《科创板日报》6月17日讯 据The Elec消息，SK海力士正在大幅扩产第5代1b DRAM，以应对HBM与DDR5 DRAM的需求增加。

通过本次投资，按照晶圆投入量看，SK海力士的1b DRAM月产能将从今年一季度的1万片增加到年末的9万片，增幅达800%，且这一目标较去年年末给出的7万片目标高出近三成。

这还不是扩产的终点。SK海力士还计划到明年上半年，将1b DRAM月产量增加到14万-15万片，是今年一季度产能的14-15倍，最高较今年年末产能目标增超65%。

此次增设1b DRAM将在SK海力士的京畿道利川M16工厂进行，1y DRAM产线将转为生产1b DRAM。目前，1y DRAM产量约为每月12万片，产线转向1b DRAM后，到2025年上半年，1y DRAM产量将减少到每月5万片。

为了扩产1b DRAM，SK海力士已向多家设备公司下单。

半导体设备行业相关人士谈到SK海力士M16厂变动时透露，SK海力士曾要求移动设备、改造设备，并引进了1b DRAM生产所需的额外工艺设备，“主要是薄膜沉积、刻蚀、光刻等核心设备。”

薄膜沉积、刻蚀，与光刻设备并称为最重要的三大前道设备。券商指出，14纳米及以下的逻辑器件微观结构的加工多通过等离子体刻蚀和薄膜沉积的工艺组合，使得刻蚀等相关设备的加工步骤增多，且60：1及以上高深宽比设备使用次数增加；晶体管结构从平面走向立体，芯片结构走向3D化，对刻蚀和薄膜沉积设备“量价齐升”。

进一步来说，设备行业更乐观地认为，SK海力士有望进一步扩大投资计划。

“如果SK海力士营业销量要求100%，那么生产或投资部门只接受70%-80%水平，”某相关人士表示，“因为上次行业下行周期时，公司按照要求进行生产和投资，导致陷入困境。”

另一位业内人士则指出，“设备订单数量的增长已经超出了我们最初的预期。”

除此之外，SK海力士之前在4月决定，将忠清北道清水市M15X厂作为下一代DRAM生产基地，该厂目前正在建设中，明年11月左右竣工，预计SK海力士将于明年初开始订购所需装备。

存储行业的暖风已经吹了多时。除了DRAM之外，得益于消费电子需求复苏、AIGC带动数据中心需求快速增长，NAND闪存也已逐渐走出低谷。

本月另一存储大厂铠侠已将旗下两座NAND闪存厂的产线开工率提升至100%——这也意味着，铠侠结束了自2022年10月起为期20个月的减产，NAND生产实现正常化。

与此同时，由三家银行组成的贷款银团也同意对铠侠即将到期的5400亿日元贷款进行再融资，并提供2100亿日元的新信贷额度。铠侠将用所获资金投入设备更新、新晶圆厂建设，提升218层BiCS8 NAND闪存产能。