财联社资讯获悉，三星电子、SK 海力士、美光均对在下代HBM4内存中采用无助焊剂键合技术感兴趣，正在进行技术准备。美光在与合作伙伴测试工艺方面最为积极、SK海力士考虑导入、三星电子也对此密切关注。

据悉，HBM内存将于HBM4开始正式转向16层堆叠。更多的DRAM Die层数意味着HBM4 16Hi需要进一步地压缩层间间隙，以保证整体堆栈高度维持在775 μm的限制内。助焊剂可清理DRAM Die表面的氧化层，保证键合过程中机械和电气连接不会受到氧化层影响；但助焊剂的残余也会扩大各Die之间的间隙，提升整体堆栈高度。助焊剂的缺点将会在未来的先进封装工艺中变得越来越明显，众多领头羊公司在研究和开发无助焊剂工艺及设备。

公司方面，快克智能致力于为精密电子组装和半导体封装检测领域提供智能装备解决方案，公司应用于半导体封装领域的重点开发项目——用于无助焊剂真空焊接工艺的离线/在线甲酸焊接炉已少量出货。