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三星电子计划二季度量产12层堆叠HBM3E内存

三星电子计划二季度量产12层堆叠HBM3E内存

三星电子4月30日表示，目前正供应12层堆叠HBM3E内存——36GB HBM3E 12H DRAM样品，计划今年二季度量产。三星8层堆叠的HBM3 8H已开始初步量产。 ...
消息称三星和AMD签署价值4万亿韩元的HBM3E供货协议

消息称三星和AMD签署价值4万亿韩元的HBM3E供货协议

《科创板日报》24日讯，三星和AMD公司签署了价值4万亿韩元的HBM3E供货合同。AMD采购三星的HBM，而作为交换三星会采购AMD的AI加速卡，但具体换购数量目前尚不清楚。 ...
三星、小米等手机厂补库存 OLED供应商开工率上行

三星、小米等手机厂补库存 OLED供应商开工率上行

《科创板日报》4月18日讯 趁着iPhone一季度全球出货量骤降近10%，三星、小米等智能手机品牌商们开始着手增加智能手机与OLED库存，带动着京东方、华星光电等面板供应商的OLED产线开工率提升。 ...
三星、美光展开AI时代内存芯片竞速 LPDDR5X新品突破10Gbps

三星、美光展开AI时代内存芯片竞速 LPDDR5X新品突破10Gbps

财联社4月17日讯（编辑 史正丞）随着人工智能应用的战场逐渐从网页端大模型渗透到“AI PC”和“AI手机”，一场围绕着移动端高速内存的战争已经打响。 ...
三星称开发出业界速度最快的LPDDR5X DRAM

三星称开发出业界速度最快的LPDDR5X DRAM

三星电子4月17日宣布，已开发出业界首款LPDDR5X DRAM，支持高达10.7 Gbps的业界最高性能，利用12纳米级工艺技术，三星实现了现有LPDDR中最小的芯片尺寸。 ...
三星推出专为人工智能应用优化的10.7Gbps LPDDR5X DRAM

三星推出专为人工智能应用优化的10.7Gbps LPDDR5X DRAM

《科创板日报》17日讯，三星近日宣布已开发出其首款支持高达10.7Gbps的LPDDR5X DRAM，采用12纳米级工艺技术，也是三星现有LPDDR中最小的芯片尺寸。 ...
2nm工艺、HBM芯片都要搞 美国授予三星至多64亿美元建厂补贴

2nm工艺、HBM芯片都要搞 美国授予三星至多64亿美元建厂补贴

财联社4月15日讯（编辑 史正丞）当地时间周一，美国商务部国家标准及技术研究所官网贴出声明，宣布与韩国三星电子达成一项初步协议，依据美国《芯片法案》提供至多64亿美元的直接补贴。 ...
科技早报｜苹果未能驳回英国有关应用商店费用的诉讼；三星电子最快下周宣布440亿美元美国芯片投资计划

科技早报｜苹果未能驳回英国有关应用商店费用的诉讼；三星电子最快下周宣布440亿美元美国芯片投资计划

三星电子最快下周宣布440亿美元美国芯片投资计划 当地时间4月12日，据彭博社报道，三星电子最快将于下周公布一项对美国芯片制造投资440亿美元的计划。 ...
三星据称将从美国获得60亿-70亿美元的补贴 用于扩大得州工厂产能

三星据称将从美国获得60亿-70亿美元的补贴 用于扩大得州工厂产能

财联社4月9日讯（编辑 夏军雄）据媒体援引消息人士报道，拜登政府计划于下周宣布向韩国三星公司提供60亿至70亿美元的补贴，用于扩大其在得州工厂的芯片产能。 ...
三星电子据悉将增加对得州的投资至约440亿美元

三星电子据悉将增加对得州的投资至约440亿美元

4月5日消息，据知情人士透露，三星电子拟将得克萨斯州半导体投资总额增加一倍以上，达到约440亿美元，这是美国在寻求扩大生产全球尖端芯片方面取得的重大突破。 ...
【明日主题前瞻】因需求强劲，三星电子将把固态硬盘价格上调至多25%

【明日主题前瞻】因需求强劲，三星电子将把固态硬盘价格上调至多25%

【今日导读】 因需求强劲，三星电子将把固态硬盘价格上调至多25% 中国科学家研发高比能氢混动力电源，解决工业级无人机续航难题 AI大模型赋能人形机器人，巨头强强联合加快产业化进程 “火箭送快递”来了！ ...
三星电子：Galaxy S23系列等九款机型可以通过系统更新体验“Galaxy AI”功能

三星电子：Galaxy S23系列等九款机型可以通过系统更新体验“Galaxy AI”功能

三星电子3月28日表示，当天起全球启动One UI 6.1系统推送，Galaxy S23系列等九款机型可以通过系统更新体验“Galaxy AI”功能。 ...
三星电子预计今年HBM产能将是去年的2.9倍，高于此前预期

三星电子预计今年HBM产能将是去年的2.9倍，高于此前预期

3月28日消息，三星电子高管在“Memcon 2024”全球半导体大会上表示，预计三星今年的HBM芯片产量将比去年增加2.9倍，高于该公司今年年初在CES 2024上给出的预测。 ...
消息称HBM4标准放宽 三星、SK海力士推迟引入混合键合技术

消息称HBM4标准放宽 三星、SK海力士推迟引入混合键合技术

《科创板日报》11日讯，据科技媒体ZDNET Korea报道，业界消息称，国际半导体标准组织（JEDEC）的主要参与者最近同意将HBM4产品的标准定为775微米（μm），比上一代的720微米更厚。 ...
三星显示器开建8.6代OLED生产线 预计2026年投产

三星显示器开建8.6代OLED生产线 预计2026年投产

财联社3月10日电，三星显示器公司周日宣布，已开始建设新的8.6代IT有机发光二极管(OLED)生产线，这是该公司为巩固其在全球平板显示器市场领导地位而采取的战略举措。 ...

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