财联社9月30日讯(编辑 潇湘)韩国统计厅周一公布的数据显示,上个月韩国的半导体库存以2009年以来最快的速度减少,这表明用于AI开发的高性能存储芯片的需求持续增长。 ...
《科创板日报》9月29日讯 消费电子第四季度传统旺季即将拉开序幕,但存储行业却陷入“凛冬疑云”。 下游消费市场的复苏依然乏力,导致内存芯片的现货市场价格进一步下滑。 ...
9月4日,SK海力士社长金柱善(Kim Ju Seon)针对公司布局,表示8层HBM3E产品已是市场上最具领导地位的产品,预计本月底将开始量产12层HBM3E,HBM4也将携台积电生产,预期将达到无与 ...
中国驻韩国大使馆经济商务处消息,据韩国KBS新闻8月29日报道,SK海力士29日宣布成功开发出采用第六代技术的16Gb DDR5 DRAM,速度可达8Gbps,比上一代产品快11%,电源效率提升9%以 ...
《科创板日报》27日讯,SK海力士第六代高带宽存储器(HBM4)商用化计划顺利推动,传针对主要客户NVIDIA的HBM4设计已进入收尾阶段,预计于2024年10月完成设计定案。 ...
8月23日消息,SK海力士将于9月台湾国际半导体展(Semicon Taiwan)时宣布与台积电、英伟达更紧密的合作计划,并聚焦下一代HBM技术的开发,进一步掌握AI服务器关键零组件。 ...
《科创板日报》23日讯,SK海力士将于9月台湾国际半导体展(Semicon Taiwan)时宣布与台积电、英伟达更紧密的合作计划,并聚焦下一代HBM技术的开发,进一步掌握AI服务器关键零组件。 ...
财联社8月17日讯(编辑 周子意)美国芯片制造商德州仪器(Texas Instruments)周五(8月16日)表示,将从美国商务部获得高达16亿美元的直接补助和30亿美元贷款,以支持其在美国国内新建 ...
根据TrendForce集邦咨询调查,受惠主流产品出货量扩张带动多数业者营收成长,2024年第二季整体DRAM(内存)产业营收达229亿美元,季增24.8%。 ...
财联社8月7日讯(编辑 刘蕊)据三名知情人士对媒体透露,全球最大存储芯片制造商三星电子的第五代高带宽内存芯片(HBM3E)的8层版本已通过英伟达的测试,可用于其人工智能处理器。 ...
财联社8月6日讯(编辑 周子意)美国商务部周二(8月6日)发布公告称,将向SK海力士提供最多4.5亿美元的补助金,用于其在美国印第安纳州建立的先进封装工厂和人工智能(AI)产品研究开发设施。 ...
《科创板日报》1日讯,SK海力士将加速下一代NAND闪存的开发,计划2025年末完成400+层堆叠NAND的量产准备,2026年二季度正式启动大规模生产。 ...
财联社资讯获悉,近日,全球第二大内存芯片制造商SK海力士表示,已决定投资约9.4万亿韩元(约合493.4亿人民币)在韩国龙仁市建设当地第一家芯片工厂。 ...
界面新闻记者 | 李彪界面新闻编辑 | 宋佳楠 经历了一年多的寒冬后,存储厂商终于迎来了一波大涨回血。 7月25日,韩国存储芯片巨头SK海力士发布2024财年第二季度财报。 ...
《科创板日报》25日讯,SK海力士已将其在芯片生产的一些清洁工艺步骤中使用的气体替换为更环保的气体。该公司进行了用全球变暖潜值 (GWP) 较低的气体替代三氟化氮 (NF3) 的测试。 ...

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