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美光将买友达台南两座厂区？双方回应：不予评论

美光将买友达台南两座厂区？双方回应：不予评论

财联社8月26日电，美光在与台积电“抢亲”群创南科四厂失利后，传出将转买友达位于台南科技工业区内的两座厂房。 ...
美光推出PCIe 6.0数据中心SSD

美光推出PCIe 6.0数据中心SSD

美光科技8月8日宣布推出PCIe 6.0数据中心SSD技术，顺序读取带宽超过 26GB/s。 ...
美光量产第九代NAND闪存技术产品

美光量产第九代NAND闪存技术产品

7月31日消息，存储芯片厂商美光宣布，其采用第九代NAND闪存技术的SSD固态硬盘产品已开始出货，成为了行业内首家实现这一里程碑的厂商之一。 ...
美光科技据悉考虑在马来西亚生产HBM

美光科技据悉考虑在马来西亚生产HBM

6月19日消息，知情人士透露，美光科技正在美国建设先进的高带宽存储器测试生产线，并考虑首次在马来西亚生产HBM，以抓住人工智能热潮带来的更多需求。 ...
美光预计英伟达将在H200中使用其HBM3E高带宽内存

美光预计英伟达将在H200中使用其HBM3E高带宽内存

美光科技公司6月5日表示，其HBM3E高带宽内存将用于英伟达公司的H200芯片。 ...
美光推出用于游戏和人工智能的新一代GPU内存GDDR7

美光推出用于游戏和人工智能的新一代GPU内存GDDR7

6月5日消息，台北国际电脑展上，美国存储芯片厂商美光宣布推出新一代 GDDR7显存（GPU显卡内存）。 ...
消息称美光下一代HBM在功耗方面比SK海力士和三星电子更具优势

消息称美光下一代HBM在功耗方面比SK海力士和三星电子更具优势

《科创板日报》3日讯，业内人士表示，美光正在研发的下一代HBM在功耗方面比SK海力士和三星电子更具优势。美光的新HBM产品在低功耗性能评估中表现出了优异的成绩。 ...
美光计划投资逾50亿美元在日建厂 最快2027年投入运营

美光计划投资逾50亿美元在日建厂 最快2027年投入运营

财联社5月28日讯（编辑 刘蕊）据日媒报道，美国芯片巨头美光科技计划在日本广岛县兴建新厂，用于生产DRAM芯片。据称其最快2027年底便可投入营运。 ...
美光科技据悉将在广岛建造生产DRAM芯片的新厂

美光科技据悉将在广岛建造生产DRAM芯片的新厂

美光科技计划在日本广岛县建造生产DRAM芯片的新厂，最早于2027年底投入运营，总投资预估在6000亿-8000亿日元。新工厂将于2026年初动工，还将安装EUV系统。 ...
美光出货用于AI数据中心的关键内存产品

美光出货用于AI数据中心的关键内存产品

5月9日，美光科技宣布在业界率先验证并出货基于大容量32Gb单块DRAM芯片的128GB DDR5 RDIMM内存，其速率在所有主流服务器平台上均高达5600MT/s。 ...
美国政府将向美光科技提供61亿美元资助，支持其在美新建晶圆厂

美国政府将向美光科技提供61亿美元资助，支持其在美新建晶圆厂

当地时间4月25日，美国政府宣布与美光科技达成一份不具约束力的初步条款备忘录（PMT），将根据美国《芯片与科学法案》向后者提供至多61亿美元直接拨款，支持美光在纽约州和爱达荷州的尖端内存制造项目。 ...
美光科技获美国政府61亿美元补贴 将用于建设三家芯片工厂

美光科技获美国政府61亿美元补贴 将用于建设三家芯片工厂

财联社4月25日讯（编辑 牛占林）美东时间周四，美国最大的计算机存储芯片制造商美光科技宣布，将从美国联邦政府获得61亿美元的资金，用于建设三座芯片制造工厂，这是依据美国《芯片法案》所授予的最新一笔资金 ...
SK海力士、台积电宣布合作开发HBM4芯片 预期2026年投产

SK海力士、台积电宣布合作开发HBM4芯片 预期2026年投产

财联社4月19日讯（编辑 史正丞）一个月前刚刚宣布量产新一代HBM3E高带宽存储芯片的英伟达供应商SK海力士，现在又朝着下一代产品迈出崭新征程。 ...
三星、美光展开AI时代内存芯片竞速 LPDDR5X新品突破10Gbps

三星、美光展开AI时代内存芯片竞速 LPDDR5X新品突破10Gbps

财联社4月17日讯（编辑 史正丞）随着人工智能应用的战场逐渐从网页端大模型渗透到“AI PC”和“AI手机”，一场围绕着移动端高速内存的战争已经打响。 ...
美光车规级4150AT固态硬盘开始送样，容量达1.8TB

美光车规级4150AT固态硬盘开始送样，容量达1.8TB

4月10日，美光科技宣布，美光车规级4150AT SSD已开始送样。作为全球首款四端口SSD，该产品提供多达四个片上系统（SoC）接口，可实现软件定义智能汽车的集中存储。该产品容量高达1.8TB。 ...

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