财联社资讯获悉,三星电子、SK 海力士、美光均对在下代HBM4内存中采用无助焊剂键合技术感兴趣,正在进行技术准备。美光在与合作伙伴测试工艺方面最为积极、SK海力士考虑导入、三星电子也对此密切关注。 ...
财联社资讯获悉,三星电子、SK 海力士、美光均对在下代HBM4内存中采用无助焊剂键合技术感兴趣,正在进行技术准备。美光在与合作伙伴测试工艺方面最为积极、SK海力士考虑导入、三星电子也对此密切关注。 ...
《科创板日报》11月7日讯(记者 邱思雨) 备受瞩目的第七届中国国际进口博览会正在上海如火如荼地举办中。 ...
11月4日,SK海力士展出了全球首款48GB 16层HBM3E产品。 ...
财联社9月30日讯(编辑 潇湘)韩国统计厅周一公布的数据显示,上个月韩国的半导体库存以2009年以来最快的速度减少,这表明用于AI开发的高性能存储芯片的需求持续增长。 ...
《科创板日报》9月29日讯 消费电子第四季度传统旺季即将拉开序幕,但存储行业却陷入“凛冬疑云”。 下游消费市场的复苏依然乏力,导致内存芯片的现货市场价格进一步下滑。 ...
9月4日,SK海力士社长金柱善(Kim Ju Seon)针对公司布局,表示8层HBM3E产品已是市场上最具领导地位的产品,预计本月底将开始量产12层HBM3E,HBM4也将携台积电生产,预期将达到无与 ...
《科创板日报》27日讯,SK海力士第六代高带宽存储器(HBM4)商用化计划顺利推动,传针对主要客户NVIDIA的HBM4设计已进入收尾阶段,预计于2024年10月完成设计定案。 ...
8月23日消息,SK海力士将于9月台湾国际半导体展(Semicon Taiwan)时宣布与台积电、英伟达更紧密的合作计划,并聚焦下一代HBM技术的开发,进一步掌握AI服务器关键零组件。 ...
《科创板日报》23日讯,SK海力士将于9月台湾国际半导体展(Semicon Taiwan)时宣布与台积电、英伟达更紧密的合作计划,并聚焦下一代HBM技术的开发,进一步掌握AI服务器关键零组件。 ...
《科创板日报》8日讯,根据TrendForce集邦咨询最新HBM报告,随着AI芯片的迭代,单一芯片搭载的HBM(高带宽内存)容量也明显增加。 ...
《科创板日报》7日讯,今日有报道称三星的8层HBM3E产品已通过英伟达测试,三星回应称,这和事实相距甚远,“我们不能证实与我们客户相关的传闻,但这个报道不是真的。 ...
【三星电子8层版本的HBM3E存储芯片通过英伟达测试】财联社8月7日电,知情人士称,三星电子第五代HBM3E存储芯片的8层版本已经通过英伟达的测试。 ...
财联社资讯获悉,近日,全球第二大内存芯片制造商SK海力士表示,已决定投资约9.4万亿韩元(约合493.4亿人民币)在韩国龙仁市建设当地第一家芯片工厂。 ...
财联社资讯获悉,行业媒体报道,供应链透露,已接获三星通知,其高频宽存储器(HBM)产品HBM3e通过英伟达(NVIDIA)认证,预计本季开始供货,并将提拨高达三成既有DRAM产能生产HBM3e,造成庞 ...

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