据悉,SK海力士计划在今年上半年将其NAND产量减少10%。该公司的NAND总产能为每月30万片晶圆。由于供应过剩,NAND价格已连续四个月下跌。 ...
每经AI快讯,天眼查App显示,近日,SK海力士系统集成电路(无锡)有限公司发生工商变更,注册资本由3.85亿美元增至约6.3亿美元。 ...
《科创板日报》23日讯,SK海力士已开始准备量产HBM3E 16层产品,新工艺设备正在引进和测试,现有设备也在优化和维护以适应新产品。主要工艺测试结果也正在顺利出炉。 ...
当地时间12月19日,美国商务部确认针对韩国芯片制造商SK海力士的《芯片与科学法案》激励措施,将向其提供4.58亿美元的直接补贴。 ...
12月18日,SK海力士宣布,公司已开发出适用于AI数据中心的高容量固态硬盘(SSD,Solid State Drive)产品“PS1012 U.2”。 ...
12月5日,SK海力士宣布完成2025年组织调整和人事任命。该公司引入以C级为中心的管理体系,将责任和权限分配到各个核心部门,以实现快速决策。 ...
财联社11月14日电,SK集团旗下半导体晶圆制造商SK Siltron于14日宣布,已获美国能源部5.44亿美元规模的贷款融资。 ...
11月4日,SK海力士展出了全球首款48GB 16层HBM3E产品。 ...
SK海力士11月4日在首尔SK AI峰会上推出了业界首款48GB 16层HBM3E芯片,计划2025年初向客户提供样品。今年9月底,SK海力士宣布开始量产全球首款12层36GB HBM3E产品。 ...
9月4日,SK海力士社长金柱善(Kim Ju Seon)针对公司布局,表示8层HBM3E产品已是市场上最具领导地位的产品,预计本月底将开始量产12层HBM3E,HBM4也将携台积电生产,预期将达到无与 ...
中国驻韩国大使馆经济商务处消息,据韩国KBS新闻8月29日报道,SK海力士29日宣布成功开发出采用第六代技术的16Gb DDR5 DRAM,速度可达8Gbps,比上一代产品快11%,电源效率提升9%以 ...
《科创板日报》27日讯,SK海力士第六代高带宽存储器(HBM4)商用化计划顺利推动,传针对主要客户NVIDIA的HBM4设计已进入收尾阶段,预计于2024年10月完成设计定案。 ...
财联社8月6日讯(编辑 周子意)美国商务部周二(8月6日)发布公告称,将向SK海力士提供最多4.5亿美元的补助金,用于其在美国印第安纳州建立的先进封装工厂和人工智能(AI)产品研究开发设施。 ...
《科创板日报》1日讯,SK海力士将加速下一代NAND闪存的开发,计划2025年末完成400+层堆叠NAND的量产准备,2026年二季度正式启动大规模生产。 ...
《科创板日报》25日讯,SK海力士已将其在芯片生产的一些清洁工艺步骤中使用的气体替换为更环保的气体。该公司进行了用全球变暖潜值 (GWP) 较低的气体替代三氟化氮 (NF3) 的测试。 ...

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