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文章标签 "sk"
sk
国产芯片
海力士
美国
芯片补贴
英伟达
韩国
SK海力士获美国4.58亿美元芯片补贴
当地时间12月19日,美国商务部确认针对韩国芯片制造商SK海力士的《芯片与科学法案》激励措施,将向其提供4.58亿美元的直接补贴。 ...
fengjun
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2024-12-19
8
sk
固态硬盘
平均售价
服务器
海力士
高容量
SK海力士开发出适用于AI数据中心的高容量固态硬盘
12月18日,SK海力士宣布,公司已开发出适用于AI数据中心的高容量固态硬盘(SSD,Solid State Drive)产品“PS1012 U.2”。 ...
fengjun
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2024-12-18
7
sk
任命
海力士
组织调整
营销官
SK海力士完成新年度组织调整及人事任命
12月5日,SK海力士宣布完成2025年组织调整和人事任命。该公司引入以C级为中心的管理体系,将责任和权限分配到各个核心部门,以实现快速决策。 ...
fengjun
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2024-12-05
27
siltron
sk
半导体
晶圆
碳化硅
美国能源部
融资
韩国
韩国半导体晶圆制造商SK Siltron获美能源部5.44亿美元贷款融资
财联社11月14日电,SK集团旗下半导体晶圆制造商SK Siltron于14日宣布,已获美国能源部5.44亿美元规模的贷款融资。 ...
fengjun
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2024-11-14
25
hbm
sk
海力士
芯片
SK海力士展出16层HBM3E芯片
11月4日,SK海力士展出了全球首款48GB 16层HBM3E产品。 ...
fengjun
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2024-11-04
41
hbm3e芯片
sk
海力士
SK海力士推出全球首款16层HBM3E芯片,明年初提供样品
SK海力士11月4日在首尔SK AI峰会上推出了业界首款48GB 16层HBM3E芯片,计划2025年初向客户提供样品。今年9月底,SK海力士宣布开始量产全球首款12层36GB HBM3E产品。 ...
fengjun
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2024-11-04
32
hbm
sk
台湾
台积电
海力士
SK海力士预计9月底开始量产12层HBM3E
9月4日,SK海力士社长金柱善(Kim Ju Seon)针对公司布局,表示8层HBM3E产品已是市场上最具领导地位的产品,预计本月底将开始量产12层HBM3E,HBM4也将携台积电生产,预期将达到无与 ...
fengjun
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2024-09-04
59
dram
sk
商务处
海力士
韩国
SK海力士开发出全球首款第六代10纳米级DRAM
中国驻韩国大使馆经济商务处消息,据韩国KBS新闻8月29日报道,SK海力士29日宣布成功开发出采用第六代技术的16Gb DDR5 DRAM,速度可达8Gbps,比上一代产品快11%,电源效率提升9%以 ...
fengjun
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2024-09-03
57
hbm
nvidia
sk
定案
海力士
消息称SK海力士预计10月完成HBM4设计定案
《科创板日报》27日讯,SK海力士第六代高带宽存储器(HBM4)商用化计划顺利推动,传针对主要客户NVIDIA的HBM4设计已进入收尾阶段,预计于2024年10月完成设计定案。 ...
fengjun
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2024-08-27
48
sk
半导体
商务部
海力士
激励资金
美光
英伟达
高端芯片
SK海力士在美项目得到美商务部支持:获近10亿美元激励资金
财联社8月6日讯(编辑 周子意)美国商务部周二(8月6日)发布公告称,将向SK海力士提供最多4.5亿美元的补助金,用于其在美国印第安纳州建立的先进封装工厂和人工智能(AI)产品研究开发设施。 ...
fengjun
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2024-08-06
89
nand
sk
海力士
闪存
消息称SK海力士加速NAND研发 400+层闪存明年末量产就绪
《科创板日报》1日讯,SK海力士将加速下一代NAND闪存的开发,计划2025年末完成400+层堆叠NAND的量产准备,2026年二季度正式启动大规模生产。 ...
fengjun
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2024-08-01
45
sk
海力士
清洁工艺
环保气体
芯片
SK海力士将更环保气体运用于芯片清洁工艺
《科创板日报》25日讯,SK海力士已将其在芯片生产的一些清洁工艺步骤中使用的气体替换为更环保的气体。该公司进行了用全球变暖潜值 (GWP) 较低的气体替代三氟化氮 (NF3) 的测试。 ...
fengjun
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2024-07-25
44
sk
固态电池
大电池
电动汽车
电池制造商
韩国
全球第四大电池制造商宣布合并
界面新闻记者 | 高菁 陷入危机中的全球第四大电池制造商或许有救了。 7月17日,SK集团旗下SK Innovation与SK E&S各自召开董事会会议,表决通过了两家公司的合并议案。 ...
fengjun
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2024-07-22
46
hbm
sk
半导体
海力士
混合键合技术
高端芯片
SK海力士据悉将在HBM生产中采用混合键合技术
半导体封装公司Genesem已向芯片制造商SK海力士提供其下一代混合键合设备,用于生产高带宽内存(HBM)。SK海力士计划于2026年在其HBM生产中采用混合键合。 ...
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2024-07-17
60
hbm
sk
三星电子
台积电
海力士
英伟达
为了英伟达你追我赶!三星用4nm豪赌HBM4 SK海力士却瞄准了硅中介层
《科创板日报》7月16日讯(编辑 朱凌)从HBM3E芯片的10nm制程,一下子跳到4nm制程,三星正企图在第六代高带宽内存芯片(HBM4)超越SK海力士与台积电,夺回主导地位。 ...
fengjun
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2024-07-16
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