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SK海力士计划投资超38亿美元在韩国新建DRAM芯片生产基地

SK海力士计划投资超38亿美元在韩国新建DRAM芯片生产基地

4月24日消息，SK海力士计划投资5.3万亿韩元（38.6亿美元）在韩国新建DRAM芯片生产基地。 ...
SK海力士与台积电签署谅解备忘录，合作开发HBM4和下一代封装技术

SK海力士与台积电签署谅解备忘录，合作开发HBM4和下一代封装技术

韩国SK海力士4月18日宣布，近期台积电签署了一份谅解备忘录，双方将合作生产下一代HBM，并通过先进的封装技术提高逻辑和HBM的集成度。 ...
三星和SK海力士正在提高DRAM产量 将恢复至削减前水平

三星和SK海力士正在提高DRAM产量 将恢复至削减前水平

《科创板日报》7日讯，随着全球需求复苏，韩国内存芯片制造商三星电子和SK海力士今年第二季度加大DRAM晶圆投入，有效结束减产。 ...
HBM内存行业引领者：SK海力士市值首次突破千亿美元！

HBM内存行业引领者：SK海力士市值首次突破千亿美元！

财联社4月1日讯（编辑 周子意）人工智能（AI）已然成为半导体企业的增长动力。数据显示，人工智能芯片和设备相关企业的市值近阶段出现大幅上升。 ...
SK海力士：今年HBM芯片占公司DRAM芯片销售比重预计达两位数

SK海力士：今年HBM芯片占公司DRAM芯片销售比重预计达两位数

SK海力士CEO郭鲁正3月27日表示，预计用于AI芯片组的HBM芯片在公司DRAM芯片销售中所占比重将从去年的个位数上升至今年的两位数。 ...
终于要兑现承诺？传SK海力士计划投资40亿美元在印第安纳州建厂

终于要兑现承诺？传SK海力士计划投资40亿美元在印第安纳州建厂

财联社3月26日讯（编辑 牛占林）据知情人士透露，韩国SK海力士公司计划投资约40亿美元，在印第安纳州的西拉斐特建造一座先进的芯片封装工厂，该工厂可能于2028年开始运营。 ...
消息称HBM4标准放宽 三星、SK海力士推迟引入混合键合技术

消息称HBM4标准放宽 三星、SK海力士推迟引入混合键合技术

《科创板日报》11日讯，据科技媒体ZDNET Korea报道，业界消息称，国际半导体标准组织（JEDEC）的主要参与者最近同意将HBM4产品的标准定为775微米（μm），比上一代的720微米更厚。 ...

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